台积电称2nm工艺有重大改进 GAA晶体管将提高SRAM密度
发布时间：2024-12-28 00:31:26 作者：玩站小弟 
我要评论
我要评论去年有报道称，SRAM单元在台积电3nm制程节点上，与5nm制程节点基本没有分别。这一消息也印证了过去的传言，即台积电TSMC）在3nm制程节点遇到SRAM单元缩减放缓的问题，采用N3B和N5工艺的S
。
去年有报道称，台积提高SRAM单元在台积电3nm制程节点上，电称大改与5nm制程节点基本没有分别。工艺管这一消息也印证了过去的有重传言，即台积电（TSMC）在3nm制程节点遇到SRAM单元缩减放缓的进G晶体问题，采用N3B和N5工艺的密度SRAM位单元大小分别为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%，台积提高而N3E工艺更糟糕，电称大改基本维持在0.021μm²，工艺管这意味着几乎没有缩减。有重
据报道，进G晶体随着新一代2nm制程节点的密度到来，SRAM单元缩减问题似乎看到了曙光。台积提高与3nm制程节点不同，电称大改台积电在2nm制程节点将引入GAA晶体管架构，工艺管有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。台积电将在今年12月的IEDM会议上发表的一篇论文，提到了2nm制程节点将HD SRAM位单元尺寸缩小到约0.0175μm²。
这将是一个重大的突破，近年来SRAM单元的扩展已经变得相当困难，而通过N2工艺，台积电最终缩减了HD SRAM位单元尺寸，从而提高了SRAM密度。按照目前的情况来看，GAA晶体管架构似乎是HD SRAM位单元尺寸缩小的主要推动力。
要知道现代的CPU、GPU和SoC设计都非常依赖于SRAM密度，需要大容量缓存来有效地提升处理大批量数据的能力。从内存访问数据既消耗性能又耗电，因此充足的SRAM对于优化性能至关重要。展望未来，对高速缓存和SRAM的需求将持续增长，因此台积电在SRAM单元尺寸方面的成就显得非常重要。
相关文章
12月25日，西藏昌都玉龙铜矿，西部矿业、中铁十九局与华为共同举办以“智绘高原露天矿 开启智驾新征程”为主题的发布会举行，并宣布由三方共同建设的全球首个5000米高原露天矿无人2024-12-28
11月12日讯 《每日体育报》列出本赛季如果没有VAR情况下的西甲积分榜，巴萨、皇马、马竞排名前三。1. 巴萨：32 分2. 皇家马德里：29 分3. 马德里竞技：29 分4. 比利亚雷亚尔：24 分2024-12-28
4mv居然捡到大便宜了，bf因签证问题顺延给了第7名的4mv
4mv居然捡到大便宜了，bf因签证问题顺延给了第7名的4mv由JR2139445252发表在和平精英 gp难受了小组赛第一给别人做了嫁衣难受了小组赛第一给别人做了嫁衣2024-12-28
欧冠联赛阶段第5轮，皇家马德里客场对阵利物浦，安切洛蒂迎来执教生涯第215场欧冠比赛，这使得他超越弗格森，成为欧冠执教场次最多的主帅。此役客场对阵利物浦，安切洛蒂迎来执教生涯第215场欧冠比赛，这使得2024-12-28
索尼的PS VR2设备虽然没有取得足够理想的销量，但索尼方面似乎并未打算放弃相关技术的研发。近日有推特用户“@PS4VRNews”上传了一段PS VR2实现无控制器的手部追踪功能的演示视频，据外媒“E2024-12-28
11月12日讯 法国国家队官方宣布，登贝莱右腿腿筋受伤，退出本期国家队，德尚已经补召了拜仁前锋科曼。在巴黎击败昂热的法甲比赛中，登贝莱出现伤情。法国队表示，本周一，球员抵达了训练基地，接受了队医的检查2024-12-28
最新评论